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求逆變器變壓器的設(shè)計計算方法

業(yè)余條件下的調(diào)試
提問者:網(wǎng)友 2017-10-31
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  逆變電源將直流電轉(zhuǎn)化為交流,功率晶體管T1、T3和T2、T4交替開通得到交流電力,若直流電壓較低,則通過交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準交流電壓和頻率。對大容量的逆變電源,由人直流母線電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V,在中、小容量的逆變電源中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計升壓電路。   中、小容量逆變電源一般有推挽逆變電路、全橋逆變電路和高頻升壓逆變電路三種。推挽電路,將升壓變壓器的中性抽頭接于正電源,兩只功率管交替工作,輸出得到交流電力,由于功率晶體管共地邊接,驅(qū)動及控制電路簡單,另外由于變壓器具有一定的漏感,可限制短路電流,因而提高了電路的可靠性。其缺點是變壓器利用率低,帶動感性負載的能力較差。   全橋逆變電路克服了推挽電路的缺點,功率晶體管T1、T4和T2、T3反相,T1和T2相位互差180度。調(diào)節(jié)T1和T2的輸出脈沖寬度,輸出交流電壓的有效值即隨之改變。由于該電路具有能使T2和T4共同導(dǎo)通的功能,因而具有續(xù)流回路,即使對感性負載,輸出電壓波形也不會畸變。該電路的缺點是上、下橋臂的功率晶體管不共地,因此必須采用專門驅(qū)動電路或采用隔離電源。另外,為防止上、下橋臂發(fā)生共同導(dǎo)通,在T1、T4及T2、T3之間必須設(shè)計先關(guān)斷后導(dǎo)通電路,即必須設(shè)置死區(qū)時間,其電路結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。   推挽電路和全橋電路的輸出都必須加升壓變壓器,由于工頻升壓變壓器體積大,效率低,價格也較貴,隨著電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的發(fā)展,采用高頻升壓變換技術(shù)實現(xiàn)逆變,可實現(xiàn)高功率密度逆變,這種逆變電路的前級升壓電路采用推挽結(jié)構(gòu),但工作頻率均在20KHZ以上,升壓變壓器采用高頻磁芯材料,因而體積?。亓枯p,高頻逆變后經(jīng)過高頻變壓器變成高頻交流電,又經(jīng)高頻整流濾波電路得到高壓直流電(一般均在300V以上)再通過工頻逆變電路實現(xiàn)逆變。   采用該電路結(jié)構(gòu),使逆變虬路功率密度大大提高,逆變電源的空載損耗也相應(yīng)降低,效率得到提高,該電路的缺點是電路復(fù)雜,可靠性比上述兩種電路低。   上述幾種逆變電源的主電路均需要有控制電路來實現(xiàn),一般有方波和正弱波兩種控制方式,方波輸出的逆變電源電路簡單,成本低,但效率低,諧波成份大。正弦波輸出是逆變電源的發(fā)展趨勢,隨著微電子技術(shù)的發(fā)民,有PWM功能的微處理器也已問世,因此正弦波輸出的逆變技術(shù)已經(jīng)成熟。   1、方波輸出的逆變電源目前多采用脈寬調(diào)制集成電路,如SG3525,TL494等。實踐證明,采用SG3525集成電路,并采用功率場效應(yīng)管作為開關(guān)功率元件,能實現(xiàn)性能價格比較高的逆變電源,由于SG3525具有直接驅(qū)動功率場效應(yīng)管的能力并具有內(nèi)部基準源和運算放大器和欠壓保護功能,因此其外圍電路很簡單。   2、正弦波輸出的逆變電源控制集成電路   正弦波輸出的逆變電源,其控制電路可采用微處理器控制,如INTEL公司生產(chǎn)的80C196MC、摩托羅拉公司生產(chǎn)的MP16以及MI-CROCHIP公司生產(chǎn)的PIC16C73等,這些單片機均具有多路PWM發(fā)生器,并可設(shè)定上、上橋臂之間的死區(qū)時間,采用INTEL公司80C196MC實現(xiàn)正弦波輸出的電路,80C196MC完成正弦波信號的發(fā)生,并檢測交流輸出電壓,實現(xiàn)穩(wěn)壓。   逆變電源的主功率元件的選擇至關(guān)重要,目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管(BJT),功率場效應(yīng)管(MOSFET),絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘管(GTO)等,在小容量低壓系統(tǒng)中使用較多的器件為MOSFET,因為MOSFET具有較低的通態(tài)壓降和較高的開關(guān)頻率,在高壓大容量系統(tǒng)中一般均采用IGBT模塊,這是因為MOSFET隨著電壓的升高其通態(tài)電阻也隨之增大,而IGBT在中容量系統(tǒng)中占有較大的優(yōu)勢,而在特大容量(100KVA以上)系統(tǒng)中,一般均采用GTO作為功率元件。
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